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플라즈마 증강 화학 기상 증착 시스템 (PECVD）플라즈마 증강 화학 기상 증착 시스템 (PECVD）
Features and benefitsBatch sizes
| Wafer size | No. Wafers |
|---|---|
| 50mm/2” | > 43 |
| 75mm/3” | 21 |
| 100mm/4” | 12 |
| 150mm/6” | 5 |
| 200mm/8” | 2 |
| 300mm/12” | 1 |
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DESCRIPTION
제품 설명
플라즈마 강화 화학 기상 증착 시스템（PECVD）
주요 특징
RF 구동(메가헤르츠 및/또는 킬로헤르츠) 상단 전극, 하단(기판) 전극에 RF 바이어스 없음
기판은 가열 전극 위에 직접 놓입니다.
가스는 상단 전극의 샤워헤드 스타일 주입구를 통해 반응 챔버로 들어갑니다.
작동 압력 0.5-1.0 Torr
전력 밀도 0.02-0.1Wcm-2
이점
기존의 화학 기상 증착보다 낮은 공정 온도
고주파/저주파 하이브리드 기술로 박막 응력 제어 가능
종말점 제어가 포함된 플라즈마 드라이 클리닝 프로세스는 반응 챔버의 물리적/화학적 클리닝 필요성을 줄이거나 제거합니다.
공정 조건에 의해 제어되는 화학양론
광자 구조, 패시베이션, 하드 필름 등에 널리 사용되는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물 증착을 포함하여 광범위한 재료 증착을 제공합니다.
비정질 실리콘(a-Si:H)
스텝 커버리지가 우수하거나 보이드가 없는 스텝 커버리지가 우수한 에틸 오르토실리케이트 실리카
SiC 실리콘 카바이드
다이아몬드 같은 필름
