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원자층 증착 시스템 FlexAL ALD원자층 증착 시스템 FlexAL ALD
specification：
ALD(Atomic Layer Deposition)는 정밀하게 제어된 방식으로 몇 나노미터의 초박막을 증착하는 진정한 "나노" 기술입니다. 원자 층 증착의 두 가지 정의 기능인 원자의 자체 한정된 층별 성장과 고도의 컨포멀 코팅은 반도체 엔지니어링, 마이크로 전자 기계 시스템 및 기타 나노 기술 응용 분야에 많은 이점을 제공합니다.
원자층 증착의 장점:
원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition) 공정은 주기당 정확히 하나의 원자층을 증착하기 때문에 나노미터 규모의 증착 공정을 완벽하게 제어할 수 있습니다. 컨포멀 코팅은 매우 높은 종횡비와 복잡한 구조에서도 가능합니다. 핀홀 및 입자 없는 증착 가능
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DESCRIPTION
원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)을 사용하여 여러 유형의 재료를 증착할 수 있습니다.포함하는 산화물HfO2, HfSiO, Al2O3, Ta2O5, TiO2, La2O3, SiO2, ZnO
다음을 포함하는 질화물TiN, TaN, AlN, SiNx, HfN
포함하는 금속Ru, Cu, W, Mo
원격 플라즈마 원자층 증착의 장점
열 원자층 증착(ALD: Thermal ALD)의 장점 외에도 원격 플라즈마는 소스로 사용되는 화학 물질을 더 폭넓게 선택하는 동시에 필름 품질을 향상시킵니다.
플라즈마는 저온 원자층 증착 공정을 가능하게 하고 원격 소스는 낮은 플라즈마 손상을 유지합니다.
복잡한 가열원보다 수소플라즈마를 이용한 보다 효율적인 금속원
특히 저온에서 각 ALD 주기 사이의 세척 횟수를 줄여 소스로 물이 필요하지 않습니다.
불순물을 추가로 제거하여 저항률을 낮추고 밀도를 높이는 등 고품질 필름을 얻을 수 있습니다.
화학양론 제어 능력
플라즈마 표면 처리
일부 재료의 경우 반응 챔버를 플라즈마로 세척할 수 있습니다.
원자층 증착의 응용
포함하다:
High-K 게이트 산화물
에너지 저장 커패시터 유전체
OLED 및 폴리머용 핀홀 없는 패시베이션 레이어
단결정 실리콘 태양 전지의 패시베이션
Cu 인터커넥트를 위한 높은 종횡비 확산 장벽
접착층
유기 반도체
미세 유체 및 MEMS 응용 분야를 위한 고도로 컨포멀한 코팅
기타 나노기술 및 나노전자공학 응용
나노포어 구조의 코팅
연료 전지(예: 촉매층용 단일 기술 코팅)
생물학적 MEMS
