Sản phẩm đại lý/ BRANDS /
Hệ thống phân bố hạt tụParticle Deposition System
Features and benefits Công ty MSP Corporation là một công ty tiên phong tại tiểu bang Minnesota, Hoa Kỳ, chuyên phát triển công nghệ phân tán hạt vi mô tiên tiến, hỗ trợ phân tích độ mạnh của hệ thống kiểm tra ô nhiễm/ghi chú trên bề mặt wafer, như KLA-Tencor, Hitachi, Topcon... Cung cấp hệ thống kiểm tra bề mặt mới nhất có khả năng phát hiện hạt vi mô kích thước từ 10nm. Do kích thước hạt cầu PSL của các nhà sản xuất khác nhau có sự khác biệt, đặc biệt là với các hạt cầu PSL có kích thước nhỏ hơn 80nm và phân bố kích thước rộng hơn 50nm, với sự hỗ trợ từ công nghệ Nano-Particle Technology (NPT) mới của MSP, có thể tạo ra hạt cầu PSL tuân thủ chuẩn NIST và chuẩn SEMI M52 (kích thước tối thiểu 10nm). Từ kinh nghiệm của người dùng đã mua sản phẩm dòng 2300, đã được chứng minh rằng ứng dụng trong việc đo lường, phân tích và làm sạch đã được cải thiện đáng kể. Hiện nay, MSP không chỉ cung cấp các mô hình thủ công mà còn cung cấp các mô hình tự động để đáp ứng nhu cầu đo lường và làm sạch mới nhất dưới 20nm.
DESCRIPTION
Hệ thống phân tán hạt vi mô trên wafer
Công nghệ phân tán hạt vi mô cấp nano có thể phân tán đều hạt cầu PSL và hạt vi mô quá trình từ 10nm đến 2um lên bề mặt wafer/mặt kính.
Công ty MSP Corporation là một công ty tiên phong tại tiểu bang Minnesota, Hoa Kỳ, chuyên phát triển công nghệ phân tán hạt vi mô tiên tiến, hỗ trợ phân tích độ mạnh của hệ thống kiểm tra ô nhiễm/ghi chú trên bề mặt wafer, như KLA-Tencor, Hitachi, Topcon... Cung cấp hệ thống kiểm tra bề mặt mới nhất có khả năng phát hiện hạt vi mô kích thước từ 10nm. Do kích thước hạt cầu PSL của các nhà sản xuất khác nhau có sự khác biệt, đặc biệt là với các hạt cầu PSL có kích thước nhỏ hơn 80nm và phân bố kích thước rộng hơn 50nm, với sự hỗ trợ từ công nghệ Nano-Particle Technology (NPT) mới của MSP, có thể tạo ra hạt cầu PSL tuân thủ chuẩn NIST và chuẩn SEMI M52 (kích thước tối thiểu 10nm). Từ kinh nghiệm của người dùng đã mua sản phẩm dòng 2300, đã được chứng minh rằng ứng dụng trong việc đo lường, phân tích và làm sạch đã được cải thiện đáng kể. Hiện nay, MSP không chỉ cung cấp các mô hình thủ công mà còn cung cấp các mô hình tự động để đáp ứng nhu cầu đo lường và làm sạch mới nhất dưới 20nm.
Hệ thống phân tán hạt MSP2300-Series (PDS™) là hệ thống phân tán hạt PSL/Process sử dụng công nghệ phân tán hạt tiên tiến nhất trên toàn cầu, có thể giúp người dùng tạo ra bất kỳ kích thước nào của các hạt cầu Polystyrene latex (PSL) chuẩn, cung cấp cho việc hiệu chỉnh hệ thống kiểm tra ô nhiễm/ghi chú trên bề mặt wafer, như KLA-Tencor, Applied Materials, TopCon, Hitachi...
Hệ thống 2300G3 cung cấp các chức năng sau:
• Kích thước hạt phân tán tối thiểu là 10nm
• Thiết lập phân tán một lần: tối đa 16 kích thước hạt cầu PSL khác nhau và tối đa 50 điểm phân tán kích thước khác nhau
• Độ chính xác kích thước hạt vi mô: ±1% (kích thước hạt vi mô phân tán >50nm); ±0.5nm (kích thước hạt vi mô phân tán <50nm)
• Cách phân tán: Phân tán toàn bộ và phân tán theo mẫu (điểm, hình cung, và hình vòng)
Tính năng:
• Công nghệ bộ phân loại chuyển động khác biệt (DMA) cung cấp khả năng xác định và phân loại kích thước hạt vi mô chính xác
• Kiểm tra NIST tự động toàn diện
• Giao diện điều khiển thiết lập thông số
• Hiệu quả phân tán của hạt vi mô quá trình (Si, SiO2, Al2O3, TiO2, Si3N4, Ti, W, Ta, Cu, vv.) tương đương với hạt cầu PSL
• 2300G3M là mô hình thủ công để đặt wafer.
