System 100 -Thiết bị etsing và tráng phủ plamaSystem 100 -Thiết bị etsing và tráng phủ plama

specification:

Thiết bị này là một thiết bị kỹ thuật plasma etsing và tráng phủ linh hoạt và mạnh mẽ. Sử dụng hệ thống lò hút chân không cho việc nạp mẫu nhanh chóng và thay đổi vi mạch chip, sử dụng nhiều loại khí quy trình và mở rộng phạm vi nhiệt độ cho phép.

Với tính linh hoạt cao nhất trong quá trình công nghệ, thiết bị này phù hợp cho bán dẫn hợp chất, điện tử quang, photon học, hệ thống cơ điện tử nhỏ và công nghệ dòng chảy vi mô. PlasmalabSystem100 có thể được cấu hình với nhiều tùy chọn khác nhau.

Contact window: sales@scientek-co.com

DESCRIPTION

Các tính năng chính:

  • Có thể xử lý vi mạch 8", có khả năng tiền sản xuất và thử nghiệm lô nhỏ (6 × 2").
  • Lựa chọn xử lý từng viên chip/ theo lô hoặc sử dụng hộp mẫu, thực hiện trong không gian chân không. PlasmalabSystem100 có thể tích hợp vào một hệ thống nhóm, sử dụng tay máy trung tâm để chuyển vi mạch, trong quá trình sản xuất sử dụng hộp từng viên đến hộp chip. Sử dụng loạt điện cực để điều khiển nhiệt độ lớp đáy, có phạm vi nhiệt độ từ -150 °C đến 700 °C.
  • Sử dụng laser nhiễu loạn và/hoặc phổ phát sáng để lắp đặt vào Plasmalab System100 để tăng cường việc kiểm soát etsing.
  • Lựa chọn 6 hoặc 12 hộp khí cầu để cung cấp tính linh hoạt cho quy trình công nghệ và khí quy trình, và có thể đặt ở xa, xa hơn thiết bị chính quy trình.

Các quy trình:
Một số ví dụ sử dụng thiết bị plasma etsing và tráng phủ Plasmalab System100:

  • Etsing silicon ở nhiệt độ thấp, etsing silicon sâu và công nghệ SOI, ứng dụng cho MEMS, công nghệ dòng chảy vi mô và công nghệ photon.
  • Quy trình etsing III-V cho mặt đầu laser, thông qua việc etsing lỗ, lưới tinh thể photon và nhiều ứng dụng khác, với loạt vật liệu rộng (InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN, vv.).
  • Tiền sản xuất và quy trình nghiên cứu cho GaN, AlGaN, vv., như etsing cho HBLED và các thiết bị công suất khác.
  • Tráng phủ SiO2 chất lượng cao và tốc độ cao, ứng dụng cho thiết bị photon.
  • Etsing kim loại (Nb, W).