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电浆增强化学气相沉积系统(PECVD）电浆增强化学气相沉积系统(PECVD）
特色與效益Batch sizes
| Wafer size | No. Wafers |
|---|---|
| 50mm/2” | > 43 |
| 75mm/3” | 21 |
| 100mm/4” | 12 |
| 150mm/6” | 5 |
| 200mm/8” | 2 |
| 300mm/12” | 1 |
DESCRIPTION
产品叙述
电浆增强化学气相沉积系统(PECVD）
主要特点
射频驱动（兆赫兹和/或千赫兹）的顶电极；底（衬底）电极上没有射频偏压
衬底直接置于加热电极上
气体通过顶电极上的喷淋头式进气口进入反应室
工作压强0.5-1.0托
功率密度0.02-0.1Wcm-2
优点
和传统的化学气相沉积相比制程温度更低
通过高/低频混合技术可以控制薄膜应力
具有结束点控制的等离子体干法清洗工艺减少或杜绝了物理/化学清洗反应室的需要
通过工艺条件来控制化学计量
提供广泛的材料沉积，包括：氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的沉积，它们广泛应用于光子结构、钝化、硬膜等。
非晶硅（a-Si：H）
具有保阶梯覆盖或无空隙良好阶梯硅覆盖的正硅酸乙酯二氧化硅
SiC 碳化硅
类金刚石膜
