产品资讯/ PRODUCTS /System 100 -等离子刻蚀与沉积设备
System 100 -等离子刻蚀与沉积设备System 100 -等离子刻蚀与沉积设备
規格：
该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和沉积工艺设备。采用真空腔体进样可进行快速的晶片更换，采用多种制程气体并扩大了容许的温度范围。
具有最大的工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术，PlasmalabSystem100可以有很多的配置。
聯繫窗口： sales@scientek-co.com
DESCRIPTION
主要特点：
- 能够处理8英寸晶片，并具有小批量（6×2英寸）预制和试生产的能力。
- 可选择单晶片/批处理或盒式进样，在真空腔体中进行。 PlasmalabSystem100可以集成到集群系统中，采用中央机械手传送晶片，在生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送。采用一系列的电极进行衬底温度控制，其温度范围为-150°C至700°C。
- 可安装用于终端检测的激光干涉和/或光发射谱以加强刻蚀控制。
- 可选择6或12路气箱，为制程流程和制程气体提供选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要制程设备。
製程：
以下是使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的一些例子：
- 低温硅刻蚀，深硅刻蚀和SOI工艺，应用于MEMS，微流体技术和光子技术。
- 用于激光器端面的III-V族刻蚀工艺，通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用，材料范围广泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN等）。
- GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺，例如HBLED和其他功率器件的刻蚀。
- 高品质、高速率SiO2沉积，应用于光子器件。
- 金属（Nb, W）刻蚀。
