System 133-300毫米大批量等离子体刻蚀与沉积设备System 133-300毫米大批量等离子体刻蚀与沉积设备

規格:
System 133-300毫米产品叙述
该System133制程设备具有300毫米大尺寸和大批量刻蚀和沉积能力,配置灵活,能进行ICP、RIE、PECVD和ICP-PECVD(HD-PECVD)工艺,可用于多种材料和器件。

 

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DESCRIPTION

产品优点
300mm单芯片处理能力,业界领先的批处理能力:20 x 2" , 8 x 3" , 4 x 4"
选择单芯片/批处理或盒式进样,采用真空腔体。 该PlasmalabSystem133可以集成到一个集群系统中,采用中央机械手传送芯片,生产工艺中采用全片盒到片盒芯片传送.
使用一系列的电极控制衬底温度,其温度范围为-150 ° C至700° C
利用激光干涉和/或光发射谱的终点检测可安装在PlasmalabSystem133中以加强刻蚀控制
可选的4、8或12路气箱为制程流程和制程气体提供了选择上的灵活性,并可以放置在远程,远离主要制程设备

制程
有关300mm和大批量应用的制程请与我们联系,例如:

高亮度LED:业界领先的批量生产性能:GaNAlGaN和相关材料;蓝宝石和SiC衬底刻蚀
300毫米SiO2, SiNx沉积
类金刚石碳(DLC)的沉积和刻蚀
大批量等离子体刻蚀与沉积设备