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物理氣相沉積系統PVD物理氣相沉積系統PVD
規格:
良好的階梯覆蓋率
針對高質量Al(含Si/CuTi)、TiN、TiW的標准方法
最大 4 x 200mm 或 8 x 75mm陰極
襯底置於旋轉座上
襯底座可以水冷卻/加熱(最高400oC)
預刻蝕和射頻偏壓
參數:氣流、壓強、射頻功率
典型應用:
高質量Al(含Si/Cu/Ti)
擴散阻擋層TiN、TiW(反應濺射)
電阻薄膜 (NiCr、TaN)
貴金屬:Au、Pt
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