โพรบนาโน 4 จุดโพรบนาโน 4 จุด

Features and benefits

ข้อมูลสเปก:

ช่วง XY
การปรับตำแหน่งหยาบ
±3 มม.ด้วยการเคลื่อนที่ 150 นาโนเมตร
การปรับตำแหน่งละเอียด
≤1 ไมโครเมตร ด้วยการเคลื่อนที่ 10 นาโนเมตร*
ช่วง Z
การปรับตำแหน่งหยาบ
±1.5 มม. ด้วยการเคลื่อนที่ 150 นาโนเมตร
การปรับตำแหน่งละเอียด
≤1 ไมโครเมตร ด้วยการเคลื่อนที่ 10นาโนเมตร*
ขนาดตัวอย่าง
10 มม. × 10 มม. × 1 มม.
น้ำหนัก
≤1000 กรัม

Contact window:sales@scientek-co.com

DESCRIPTION

คุณสมบัติ:

ระบบนี้ติดตั้งบนแพลตฟอร์ม SEM เพื่อวัดคุณสมบัติไฟฟ้าของแหล่งกำเนิดสี่จุดในพื้นที่เมโทรแมตรต่อมิลลิเมตร
สามารถควบคุมแต่ละปลายจับแบบสามมิติได้