製品情報/ PRODUCTS /TEOSマルチウェハプロセス用のプラズマ増強化学気相堆積システム

DESCRIPTION

最大のプロセスの柔軟性を備え、化合物半導体、光電子学、光子学、MEMS、マイクロ流体技術に適用されるPlasmalabSystem100は、様々な構成オプションがあります。
詳細は以下の通りです：

主な特徴：
8インチウエハの処理が可能であり、小ロット（6×2インチ）のプリファブおよび試作の能力も持っています。
シングルウエハ/バッチ処理またはカセットローディングを真空チャンバーで選択します。
PlasmalabSystem100は、ウエハの中央ロボット転送、製造プロセスでのフルカセットからカセットへのウエハ転送を使用したクラスターシステムに統合することができます。
基板温度制御には、-150°Cから700°Cまでの温度範囲を持つ一連の電極を使用します。
エッチング制御を強化するために、Plasmalab System100にはエンドポイント検出用のレーザー干渉および/または光放射スペクトルを装備することができます。
6または12のガスボックスの選択は、プロセスフローとプロセスガスの選択の柔軟性を提供し、主要なプロセス装置から離れた場所に配置することができます。

プロセス：
Plasmalab System100のプラズマエッチングおよび堆積装置を使用したプロセスの例は次の通りです：
MEMS、マイクロ流体技術、光子技術に適用される低温シリコンエッチング、深いシリコンエッチング、およびSOIプロセス
レーザーディオードのエンドフェースのためのIII-V族エッチングプロセス、エッチングホール、フォトニッククリスタル、およびその他多数の応用に広範な材料（InP、InSb、InGaAsP、GaAs、AlGaAs、GaN、AlGaNなど）
HBLEDおよびその他のパワーデバイスのエッチングなど、GaN、AlGaNなどのプリプロダクションおよびR&Dプロセス
光子デバイスに適用される高品質、高速SiO2堆積
金属（Nb、W）のエッチング

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